韩国媒体Etnews在本月第9月报道的是，为了应对先进记忆晶片的厚度，SK Hynix考虑了引入高级晶圆切割技术（例如飞秒激光器）的引入。据报道，SK Hynix当前使用的基本晶圆切割技术包括机械刀片切割（使用钻石磨轮）和无形切割（内部产生裂缝），但它们只能适应约100μm及以上且约50μm的晶圆。目前，高级内存的晶圆厚度减小，尤其是在未来的400多层，需要多层堆叠和有限的堆栈高度，并且需要混合粘合物以将存储单元连接到外围电路。该报告指出，Skhynix正在与激光设备合作伙伴合作，探索用于晶圆切割设备的新评论项目。该公司已与一些合作伙伴进行了技术试验，以探索Variou可能的技术途径，包括前沟前，直接和完全使用激光分离。